Технологические процессы

Накопленный многолетний опыт и ноу-хау института обеспечивают разработку и производство продукции различного назначения.

Продукция на основе микропроводов

Для производства ниточных (минимальная длина рабочего элемента 1mm), плоских (минимальная толщина равна диаметру используемого микропровода) и объемных (минимальный объем 0,02 mm3) элементов разработаны типовые технологические процессы:

  • литье микропровода в стеклянной изоляции с диаметром жилы менее 1 µm до десятков µm;
  • остекловывание микропроволоки из металлов и сплавов диаметром более 30 µm;
  • холодная и горячая намотка (однослойная, рядовая в навал, многослойная);
  • подгонка номинального значения сопротивления (из резистивных микропроводов до 0,01%), (из проводниковых – до 0,1%);
  • контактирование с токоподводами (пайка, различные виды сварки, оплавление паст);
  • температурная стабилизация;
  • герметизация (корпусная, обволакиванием эпоксидными компаундами) и другие.

Нитевидные нанокомпозиции

Проводятся исследования процесса получения нитевидных нанокомпозиций протяженной длины, включающего ряд технологических операций от подготовки исходной стеклянной матрицы с нитями микронных размеров из металлических элементов, сплавов, полуметаллов и полупроводников до ее деформации до нанометрических размеров нитей.

Микроэлектронная технология

В области микроэлектронной технологии используются следующие технологические процессы:

  • получение толстых пленок (однослойные и многослойные) из различных металлов, сплавов, диэлектриков, ширина проводниковых и резистивных элементов и (минимальное расстояние между ними до 5 µm);
  • поверхностный монтаж кристаллов (до 0,012 х 0,012"), специализированных бескорпусных интегральных микросхем, бескорпусных и дискретных элементов на однослойных и многослойных подложках, печатных платах (гибкие и жесткие);
  • контактирование методом оплавления и сварки (термозвуковая, термоультразвуковая, ультразвуковая, термокомпрессионная и др.) золотой и алюминиевой проволокой диаметром 0,001-0,005 ";
  • лазерная подгонка резистивных элементов: тонкопленочных - до 0,1%, толстопленочных – до 0,5%;
  • герметизация микросхем в корпусах (металлостеклянные, металлокерамические, металлополимерные) и обволакиванием эпоксидными компаундами.